Au sein de l'Institut de Recherche sur les lois Fondamentales de l'Univers (IRFU), vous intégrerez l'équipe STREAM (Systèmes Temps réel, Electronique d'Acquisition et Microélectronique) du Service d'Electronique, des Détecteurs et d'Informatique et serez responsable de la "Conception d’un ASIC durci aux radiations pour la lecture de détecteur de particules pour applications spatiales".
| Type de contrat | CDD |
| Durée CDD | 24 Mois |
| Poste disponible à compter de | septembre 2015 |
| Statut du poste | Cadre |
| Formation initiale / Niveau d'études (minimum) | Bac+5 |
| Domaines d'études | A0 - Physique |
| Expérience professionnelle | 1 à 2 ans |
| Langues | Français(Courant (Très bon niveau)), Anglais(Courant (Très bon niveau)) |
| Centre géographique | Saclay |
| Lieu de travail | Saclay |
Description du poste :
Le groupe de microélectronique de l’Institut de Recherche sur les lois Fondamentales de l’Univers a développé depuis plus de 20 ans une solide expertise en microélectronique front-end adaptée aux détecteurs de particules. Ses grands domaines d’expertises sont les ASICs de spectro-imagerie très haute résolution pour détecteurs capacitifs, les mémoires analogiques ultra rapides, les capteurs CMOS pour la détection de traces ainsi que la microélectronique ultra cryogénique. Depuis sa création, le groupe de microélectronique a ainsi produit l’équivalent de plus de 400 000 canaux de détection qui équipent aujourd’hui aussi bien les détecteurs de particules du grand accélérateurs de particules du CERN (LHC) que des micro-caméras embarquées dans des satellites.
La mission est de concevoir le durcissement aux radiations de l’ASIC de lecture AGET déjà conçu en technologie CMOS AMS 0.35 µm pour la lecture de chambres à projection temporelle (TPC). L’ASIC AGET est un circuit microélectronique multi-canaux de conversion, filtrage et échantillonnage des charges issues des détecteurs de particules. Il a été originellement conçu pour des expériences en Physique Nucléaire terrestre et nous voulons le rendre robuste aux radiations pour le rendre compatible avec des missions spatiales.
Pour cela, les trois principaux effets des radiations sur les circuits CMOS devront être pris en compte lors du design de la nouvelle puce :
Chaque cellule numérique devra ainsi être durcie par design des couches physiques (Layout) au Single Event Latch-up (SEL).
Le(La) candidat(e) devra développer des bibliothèques de cellules numériques intrinsèquement durcies aux Singles Event Upset (SEU) pour les substituer aux cellules numériques standards intégrées dans la puce.
Profil du candidat :
Vous êtes titulaire d'un doctorat en microélectronique et ou ingénieur des grandes écoles. Vous avez conçu et testé au moins un ASIC analogique ou mixte. Vous maitrisez parfaitement l’outil de CAO Cadence. Une expertise-expérience en microélectronique durcie aux radiations est un atout.
Vous êtes autonome, apte à travailler en groupe et en particulier à communiquer avec l’équipe qui a conçu l’ASIC AGET. votre capacité d’adaptation vous permet d’être opérationnel très rapidement.
Pour candidater, remplir ce formulaire en indiquant la référence de l'annonce DSM-IRFU-SEDI-STREAM-2015 04 17 en bas de page dans le champ "recherche par référence"
