Journée thématique: Effet des irradiations dans les détecteurs semi-conducteurs
Jeudi 16 juin 2016 au LPNHE (Paris-Jussieu)
Présentation de la journée
Le réseau "R & D instrumentation" dédié aux détecteurs semi?conducteurs (IN2P3?IRFU) organise le 16 Juin 2016 une journée sur le thème des effets des irradiations dans les détecteurs semi?conducteurs. Cette journée s'adresse aux utilisateurs de différents détecteurs semi?conducteurs désireux d'avoir une vue des problèmes rencontrés dans des environnements radiatifs de notre discipline tels que l'espace ou les accélérateurs de particules. Il a été demandé aux intervenants d'adapter le niveau de leur présentation à un public avisé (instrumentaliste) mais non spécialiste.
Programme
Les présentations seront de préférence en français.
- 10h00 ? 10h30 : Marlon BARBERO – Capteurs HVCMOS pour SLHC
- 10h30 ? 11h00 : Alejandro PEREZ – Radiations sur détecteurs CMOS
- 11h00 ? 11h30 : Marco BOMBEN – Détecteurs Si Edgeless
- 11h30 ? 12h00 : Mr. Michal POMORSKI – Détecteurs diamant
- 12h00 ? 13h30 : Déjeuner
- 13h30 ? 14h00 : Michael MOLL – Mesure des défauts après irradiation
- 14h00 ? 14h30 : Nicolas LE NEINDRE – Dommage des ions lourds sur détecteurs Silicium
- 14h30 ? 15h00 : Benedikt BIRKENBACH – Dommage des neutrons aux détecteurs Ge
- 15h00 ? 15h30 : Olivier LIMOUSIN – Résultats d’irradiations sur des détecteurs CdTe pour le spatial
- 15h30 ? 16h00 : Cyrille ROSSET – Comportement des détecteurs IR d'Euclid sous irradiation
- 16h00 ? 16h30 : Ken GANGA – Effets des radiations sur les performances des détecteurs spatiaux.
Inscription obligatoire avant le 3 juin
P. Briet, dépêche du 27/05/2016
