R&D maps
Les maps (Monolithic Active Pixel Sensors) sont des matrices de pixels semi-conducteurs gravés en technologie CMOS dans lesquelles chaque pixel comporte un élément détecteur et un circuit de traitement. Ces composants, dans leur version commerciale, sont destinés à remplacer les CCD dans certains équipements de vision (par ex. webcam). L'avantage de ces composants porte sur la technologie de fabrication standard (coût, disponibilité et pérennité) et sur les possibilités de traitement rapide des images (jusqu'à 1000 par seconde). En contrepartie les performances sont limitées en sensibilité.
Il est tentant d'utiliser ces composants pour des détecteurs à très forte segmentation et très grande précision. On les retrouvera dans la détection de vertex au point central d'un collisionneur ou dans un télescope rapide de haute résolution spatiale.
Pour ces applications, un des problèmes majeurs concerne l'efficacité de détection. Elle est limitée par la faible épaisseur de silicium « déplété » et sensible au rayonnement, par les pertes de collection de charge et par le facteur de remplissage de la puce (surface insensible occupée par les circuits de traitement).

Le Dapnia s'est associé à l'IPHC de Strasbourg (CNRS/IN2P3) pour étudier ces problèmes, en particulier en vue d'une application sur le projet européen de télescope EUDET-JRA1. Le Dapnia est plus spécialement chargé d'étudier une conception des circuits de transfert d'image rapide et immune aux bruits de commutation. Deux circuits prototypes ont déjà été produits en commun pour les deux instituts et le prototype délivrable IDC (Intermediate Digital Chip) sera testé en 2008 avant le détecteur final prévu pour 2009.

EUDET page web

ILC page web

 

 

Maj : 15/10/2007 (325)

 

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